HT-RTA59HD_info_2014111701 アルバック理工株式会社(本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 五戸成史)は、SiCなど高価な試料やその他高融点材料の小片試料を加熱できる、ハイパワースポット型赤外線ゴールドイメージ炉を搭載した超高温ランプアニール装置 「HT-RTA59HD」 を開発し、2014年11月から販売を開始いたします。

 

 

 

背 景

SiC(GaN)などのパワーデバイス材料は、非常に高価なため、研究・開発の分野では、小片試料でのプロセスデバイスの研究・開発が行われています。 SiC(GaN)のプロセスでは、酸化膜形成は、1400℃以上、活性化アニールは、1600℃以上と超高温領域の温度帯が必要となり、卓上型で手軽に超高温が達成できる超高温ランプアニール装置 「HT-RTA59HD」を開発しました。

 

特 長

  • 超高温1800℃まで10秒の加熱が可能
  • 楕円反射面にハイパワーランプを搭載したスポット集光炉
  • Cold Wall構造による急速加熱/冷却とクリーン加熱が可能
  • 加熱炉と石英製チャンバを一体化した卓上型
  • 温度レシピは、USB接続したパソコンで簡単入力
  • 加熱中の温度データをパソコン画面に表示可能(テキストファイルとして保存も可能)
  • 2ガス流量計1系統を標準装備 

 

用 途

  • SiC(GaN)パワーデバイスプロセスの酸化膜形成、活性化アニールの研究・開発
  • その他半導体プロセスの研究・開発
  • ガラス基板、セラミックス、複合材料などの熱処理
  • セラミックス材料の熱衝撃試験
  • 高融点金属材料の焼結など、各種熱処理試験
  • 温度勾配炉として
  • ガス分析用の加熱炉として

 

製品紹介ページ 超高温ランプアニール装置 「HT-RTA59HD」

 

初年度販売目標台数

20台

 

販売開始

2014年11月

 

 

本件に関するお問合せ先

アルバック理工株式会社 国内営業部 金子 正彦 
TEL:045-931-2285(代)/ FAX 045-933-9973
〒224-0053 神奈川県横浜市都筑区池辺町4388

関連ウェブサイト:http://www.advance-riko.com/