半導体の装置一覧
赤外線ランプ加熱炉を搭載し、クリーンかつ急速加熱・冷却に加えて緻密な温度制御
が可能です。また、チャンバー内で、不活性ガスやアンモニア・水素中などの異種ガス対応も可能であり、小片サイズ~大口径、ロボット搬送による自動熱処理まで様々なニーズにマッチしたラインナップを提案できます。
基礎研究から量産化、品質検査までの一連の流れをカバーしております。
SiC・GaNや次世代半導体のダイヤモンド半導体の高速加熱冷却や、イオン注入後の拡散アニール、電極の低抵抗化、酸化膜/窒化膜の生成アニールなどに最適です。
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超高温ランプアニール装置 HT-RTA59HD
小片試料を1800℃まで10秒で昇温 SiCなど高価な試料やその他高融点材料の小片試料をスポット加熱による高い反射効率で、超高温領域1800℃まで昇温可能な卓上……