赤外線ゴールドイメージ炉、ゼーベック係数測定装置(ZEM)など、アドバンス理工は多彩な熱技術をベースに未踏の分野に挑戦します。
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超高温ランプアニール装置 HT-RTA59HD

SiCなど高価な試料やその他高融点材料の小片試料をスポット加熱による高い反射効率で、超高温領域1800℃まで昇温可能な卓上型超高温ランプアニール装置です。

用途

  • SiC(GaN)パワーデバイスプロセスの酸化膜形成、活性化アニールの研究・開発
  • その他半導体プロセスの研究・開発
  • ガラス基板、セラミックス、複合材料などの熱処理
  • セラミックス材料の熱衝撃試験
  • 高融点金属材料の焼結など、各種熱処理試験
  • 温度勾配炉として
  • ガス分析用の加熱炉として

特長

  • 超高温1800℃まで10秒の加熱が可能
  • 楕円反射面にハイパワーランプを搭載したスポット集光炉
  • Cold Wall構造による急速加熱/冷却とクリーン加熱が可能
  • 加熱炉と石英製チャンバを一体化した卓上型
  • 温度レシピは、USB接続したパソコンで簡単入力
  • 加熱中の温度データをパソコン画面に表示可能(テキストファイルとして保存も可能)

仕様

型式 HT-RTA59HD
温度範囲 室温~1800℃ (最高2000℃)
試料サイズ 角15mm × 厚1mm
温度センサ JIS B熱電対 (W-Re も対応可)
所要電源 AC 200 V 40 A 8 kW
冷却水 0.3MPa 約5L /min
ランプ冷却ガス 乾燥空気 約200 L /min
装置寸法(㎜) 約W 410 × D 450 × H 840
突起部分除く
重量 約45 kg

システムイメージ図

  • ランプ冷却用Air GAS INLET
  • GAS OUTLET
  • N2 GAS INLET
  • Ar GAS INLET
  • ランプ
  • 透明石英保護管
  • 試料
  • 試料移動フランジ(手動開閉)

加熱性能

最高到達温度

投入電力
7kW(max)
計測
W-Re 熱電対
加熱雰囲気
N2 1L /min
到達温度
2157℃
2000℃まで約200℃/sec

急速加熱制御

温度レシピ
200℃/s 1700℃ 保持5min
雰囲気
N2 100cc/min
試料ホルダー
高純度カーボン
試料サセプター
高純度カーボン

試料ホルダとサセプタ

オプション

  • 真空排気系(RP、DRY、TMP など)
  • ガス配管系(2系統目から)
  • 冷却水循環装置
  • 冷却エアー発生装置
  • ハンディスポットウェルダ(HS-9000)
  • ハンディアークウェルダ(HA-1H)

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