用途
半导体,陶瓷,金属等广泛材料的热电特性评价。特長
- 采用温度可控性优异的红外线金像加热炉和温差控制用微加热器
- 测量由计算机控制,可以在规定温度下对各温差进行测量,也可以消除暗电动势等自动测量
- 标配自动欧姆接触检查(V-I图)
- 可选附件可用于测量薄膜
- 可定制为高电阻
专利和标准
热电能JIS R 1650-1电阻率JIS R 1650-2
仕様
型式 | ZEM-3L | ZEM-3LW | ZEM-3M8 | ZEM-3M10 | ZEM-3HR |
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温度设定范围 | 最大测量温度步长和温差步长125 | ||||
温度范围 | -80〜100℃ | -100〜200℃ | 50〜800℃ | 50〜1000℃ | 50~800℃/1000℃ |
样品尺寸 | 角或,φ2~4mm×长5~22mm | ||||
测量气氛 | 低压He气体中(大气中) | ||||
电阻测量范围* | 50μΩ~ 100kΩ | 50μΩ~ 10MΩ |
测量原理
样品以圆柱形或方柱的形式垂直放置在加热炉中的上块和下块之间。通过下块中的加热器给样品施加温度梯度,同时将样品加热并保持在规定的温度。塞贝克系数的测量是通过测量压在样品侧面的热电偶上的上部和下部T1,T2与热电偶一侧的同一股线之间的热电动势dE来确定的。
电阻测量采用直流四端法,通过在样品两端施加恒定电流I,测量热电偶同一元件线之间的电压降dV,并去除引线之间的热电动势来确定。
电阻测量采用直流四端法,通过在样品两端施加恒定电流I,测量热电偶同一元件线之间的电压降dV,并去除引线之间的热电动势来确定。
P型Si80Ge20烧结体的测量实例
提供数据:工业科学技术研究所能源技术研究部热电转换小组