该炉体采用水冷壁的结构，结合红外加热的的高能量密度，近红外的波长和快速的升温特点，并通过高精度，快速响应的温控器进行精确温度控制。
RTA系统可满足用户对于工艺配方的控制（温度控制，升降温速率控制，气氛及气体流量控制等）。RTA系统有助于找到最佳的热处理方式。
用途
- 离子注入后的活化退火
- 沉积氧化膜的退火
- 欧姆电极合金化
- PZT，SBT和其它铁电薄膜的结晶退火
- 硅化物及自对准硅化物的生成
- 发光元件，半导体激光基板的热处理
- 超浅结的生成
- 铁电电容器沉积
- 栅氧化膜的生成
- ゲート酸化膜形成
特長
- 最高升温速率可达200℃/s
- 可搭配自动传样机器人
- 可连接半导体制造设备
- 各个加热区的灯管功率单独可控，可以对不同尺寸的样品实现均匀加热
仕様
- RTA-4000 CtoC
- RTA-2000
- RTA-6000
| 型号 | 样品尺寸 | 控温范围 | 最快加热速率 | 加热气氛 |
|---|---|---|---|---|
| RTA-2000 | φ2-inch × 1 piece | RT ～ 1000°C | 100 °C/sec | 空气 真空 静态气氛 流动气氛 |
| RTA-4000 | φ3 ～ 4-inch × 1 piece | 200 °C/sec | ||
| RTA-6000 | φ4 ～ 6-inch × 1 piece | 200 °C/sec | ||
| RTA-8000 | φ6 ～ 8-inch × 1 piece | 200 °C/sec | ||
| RTA-12000 | φ300mm × 1 piece | 100 °C/sec |
对于其他规格参数，例如单晶片处理，快速退火，自动传样机器人，其他加热温度，气体类型，真空度，请随时与我们联系。
C to C Robotic transfer system During transfering Si wafer
