RTA 系列快速热退火炉(2~12Inches)

可处理2~12 英寸的样品,10s内即可到设置的退火温度。
该炉体采用水冷壁的结构,结合红外加热的的高能量密度,近红外的波长和快速的升温特点,并通过高精度,快速响应的温控器进行精确温度控制。
RTA系统可满足用户对于工艺配方的控制(温度控制,升降温速率控制,气氛及气体流量控制等)。RTA系统有助于找到最佳的热处理方式。

用途

  • 离子注入后的活化退火
  • 沉积氧化膜的退火
  • 欧姆电极合金化
  • PZT,SBT和其它铁电薄膜的结晶退火
  • 硅化物及自对准硅化物的生成
  • 发光元件,半导体激光基板的热处理
  • 超浅结的生成
  • 铁电电容器沉积
  • 栅氧化膜的生成
  • ゲート酸化膜形成

特長

  • 最高升温速率可达200℃/s
  • 可搭配自动传样机器人
  • 可连接半导体制造设备
  • 各个加热区的灯管功率单独可控,可以对不同尺寸的样品实现均匀加热

仕様

  • RTA-4000 CtoC
  • RTA-2000
  • RTA-6000
型号 样品尺寸 控温范围 最快加热速率 加热气氛
RTA-2000 φ2-inch × 1 piece RT ~ 1000°C 100 °C/sec 空气
真空
静态气氛
流动气氛
RTA-4000 φ3 ~ 4-inch × 1 piece 200 °C/sec
RTA-6000 φ4 ~ 6-inch × 1 piece 200 °C/sec
RTA-8000 φ6 ~ 8-inch × 1 piece 200 °C/sec
RTA-12000 φ300mm × 1 piece 100 °C/sec

对于其他规格参数,例如单晶片处理,快速退火,自动传样机器人,其他加热温度,气体类型,真空度,请随时与我们联系。

RTA-2000腔体
RTA-12000腔体
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