赤外線ランプアニール装置 RTAシリーズ

目標温度まで10秒!
弊社の赤外線ランプ加熱は、高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、真空によるクリーン加熱に自信があります。2インチ(50mm)から12インチ(300mm)のウェハに対応できるラインナップ。 ご要望の熱処理レシピ(加熱・冷却)と雰囲気(真空およびガス中)、RTAシリーズでお客様のニーズにお応えします。

用途

  • イオン注入後の活性化アニール
  • 酸化膜生成アニール
  • オーミック電極のアロイング
  • PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
  • Siウエハのドナーキラー処理
  • シリサイド形成、サリサイド形成
  • 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
  • 極浅接合形成
  • 強誘電体キャパシタの成膜
  • ゲート酸化膜形成

特長

  • 最高200℃ /sの昇温レートで加熱が可能
  • C to C ロボット搬送システムの対応可能
  • 半導体製造装置との連結が可能
  • 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール

仕様

  • RTA-6000
  • RTA-2000
  • RTA-4000 CtoC
型式 試料寸法 温度範囲 最大昇温速度 雰囲気
RTA-2000 φ2インチ×1枚 RT ~ 1000℃ 100℃ /s 大気中
真空中
ガス中
ガスフロー中
RTA-4000 φ3 ~ 4インチ×1枚 200℃ /s
RTA-6000 φ4 ~ 6インチ×1枚 200℃ /s
RTA-8000 φ6 ~ 8インチ×1枚 200℃ /s
RTA-12000 300mm×1枚 100℃ /s

※ 上記仕様のほか、複数ウェハ同時処理、ウェハカセット対応ロボット搬送付装置、昇降温速度、各種ガス雰囲気および真空加熱など、各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。

RTA-2000 (2インチウェハ用)チャンバ部
RTA-12000(12インチウェハ用)チャンバ部
C to C ロボット搬送システム Siウエハ搬送の様子
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