赤外線ランプアニール装置 RTAシリーズ

保持まで10秒!赤外線ランプ加熱で2インチから300mmまでの高速熱処理
赤外線ランプ加熱は、高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、コールドウォールによるクリーン加熱などの特長を最大限に活かした加熱方式です。各種プロセスレシピ(加熱・冷却)、ガスの種類及び流量制御とともに最適なプロセス条件を見出すのに適したRTAシリーズで、お客様のニーズにお応えします。

用途

  • イオン注入後の活性化アニール
  • 酸化膜生成アニール
  • オーミック電極のアロイング
  • PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
  • Siウエハのドナーキラー処理
  • シリサイド形成、サリサイド形成
  • 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
  • 極浅接合形成
  • 強誘電体キャパシタの成膜
  • ゲート酸化膜形成

特長

  • 最高200℃ /sのフラッシュアニールが可能
  • C to C ロボット搬送システムの対応可能
  • 半導体製造装置との連結が可能
  • 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール

仕様

  • RTA-4000 CtoC
  • RTA-2000
  • RTA-6000
型式 試料寸法 温度範囲 最大昇温速度 雰囲気
RTA-2000 φ2インチ×1枚 RT ~ 1000℃ 100℃ /s 大気中
真空中
ガス中
ガスフロー中
RTA-4000 φ3 ~ 4インチ×1枚 200℃ /s
RTA-6000 φ4 ~ 6インチ×1枚 200℃ /s
RTA-8000 φ6 ~ 8インチ×1枚 200℃ /s
RTA-12000 300mm×1枚 100℃ /s

※ 上記仕様のほか、複数枚(枚葉)処理、フラッシュアニール処理、C to C ロボット機能付装置、加熱温度、 昇降温速度、使用ガス、真空度など、各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。

RTA-2000チャンバ部
RTA-12000チャンバ部
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