RTP-6采用抛物线形的黄金反射面，可均匀热处理最大6英寸的圆晶。该系统可进行快速的热处理，最适合热处理工艺的研究与开发。可用于半导体工艺中硅化物的形成以及半导体化合物的过程退火。
特長
- 快速热处理
- 腔体采用水冷，可进行快速降温
- 真空置换气氛后，可采用流动气氛进行热处理
- 温度程序设置和外部信号输入可以通过脑轻松控制。
- 加热过程的温度数据也可以显示在电脑上。
- 石英保护板（可选）可以安装在腔室内以防止污染。
- 九个独立的加热区可实现均匀的温度控制，并具有优异的重复性。
仕様
| 温度范围 | RT ～ 1100 °C |
|---|---|
| 样品尺寸 | 6英寸圆晶x 1 (4 or 5英寸圆晶.) |
| 气氛 | 静态气氛，流动气氛，空气，真空（真空泵可选） |
| 加热方式 | 顶部单面加热方法（搭配红外金面反射炉） |
| 最快升温速率 | 80 °C/s |
| 温度均匀性 | 800 °C N2气氛中的ΔT = 10 °C |
| 温度控制方式 | K型热电偶（热电偶放置于带孔的SiC包覆的碳板内）, 高温机可选 |
组成
- 红外金面反射炉
- 加热腔
- 可编程温控器
- 9个独立的加热区
- 跨度变换单元
- 气体管路系统
- 热气排出系统
- 炉体框架，开关板
- 高温计（可选）
- 水冷机（可选）
- 真空泵（可选）
系統図
安装需求
| 外形尺寸 | 约. W600 x D1000 x H1700 (mm) (不包含突出部分) |
|---|---|
| 重量 | 约 300kg |
| 供电需求 | 三相 AC 200V 30kVA, D type |
| 冷却水 | 压力≥0.3Mpa 流量≥15L/min |
| 真空接口 | KF-25 |
| 气路接口 | 进气口: 1/4 Swagelok joint （或相同规格) 出气口:3/8 Swagelok joint （或相同规格) |
| 热气排气口 | 约φ50mm的短管 |
