赤外線ゴールドイメージ炉、ゼーベック係数測定装置(ZEM)など、アドバンス理工は多彩な熱技術をベースに未踏の分野に挑戦します。
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赤外線ランプ加熱装置 RTP-6

本装置は、放物面反射赤外線ランプにより、6 インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。高速熱処理が可能で、熱処理プロセスの研究・開発用装置として手軽にご利用いただけます。
個別半導体プロセスのシリサイド形成や酸化膜形成、化合物半導体のプロセスアニールが可能です。

用途

  • Siウェハの急速熱処理が可能

特長

  1. 最大6インチサイズまでのウエハを高速熱処理することが可能です。
  2. 水冷メタルチャンバ式のコールドウォール構造で重金属汚染もなく、高速冷却が行えます。
  3. 真空置換後の各種ガスフローも可能です。
  4. お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に行え、加熱中の温度データをパソコン上に表示することも可能です。
  5. 9ゾーン出力制御により、優れた温度分布と再現性が可能です。
  6. チャンバ内の汚れ防止に石英防着板の取り付けも可能です。(オプション)

構成

  1. 赤外線ゴールドイメージ炉
  2. 熱処理チャンバ
  3. プログラム温度コントローラ
  4. 9ゾーン出力ユニット
  5. スパン切換ユニット
  6. ガス配管系
  7. 熱気排気装置
  8. 架台・配電盤
  9. パイロメータ(オプション)
  10. 冷却水循環装置(オプション)
  11. 真空排気装置(オプション)

系統図

仕様

型式 RTP-6
温度範囲 室温~1000℃
試料寸法 4インチ~6インチウェハサイズ
測定雰囲気 各種ガス中、ガスフロー中、大気中、真空中(真空排気装置はオプション)
加熱方式 放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
(下部片面加熱方式にも対応可能)
最大加熱速度 80℃/s
均熱精度 Δt=10℃ (N2 フロー中、ウエハ 800℃時)
制御センサ JIS-K 熱電対、パイロメータ(オプション)
装置寸法 約 W600 × D1000 × H1700 (mm)  突起物を除く
重量 約300 kg
所要電源・接地 三相 AC 200V 30 kVA、D種
所要冷却水 市水 水量 15 L/min 以上、圧力 0.3 MPa 以上
真空引口 KF-25 渡し
ガス導入口 イン側   1/4 Swagelok 継手(または同等品)
アウト側  3/8 Swagelok 継手(または同等品)
熱気排気口 約 Φ50短管渡し

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