RTP-6 经济型快速热处理系统(4-6inches)

升温速率可达80℃/s
RTP-6采用抛物线形的黄金反射面,可均匀热处理最大6英寸的圆晶。该系统可进行快速的热处理,最适合热处理工艺的研究与开发。可用于半导体工艺中硅化物的形成以及半导体化合物的过程退火。

特長

  • 快速热处理
  • 腔体采用水冷,可进行快速降温
  • 真空置换气氛后,可采用流动气氛进行热处理
  • 温度程序设置和外部信号输入可以通过脑轻松控制。
  • 加热过程的温度数据也可以显示在电脑上。
  • 石英保护板(可选)可以安装在腔室内以防止污染。
  • 九个独立的加热区可实现均匀的温度控制,并具有优异的重复性。

仕様

温度范围 RT ~ 1100 °C
样品尺寸 6英寸圆晶x 1 (4 or 5英寸圆晶.)
气氛 静态气氛,流动气氛,空气,真空(真空泵可选)
加热方式 顶部单面加热方法(搭配红外金面反射炉)
最快升温速率 80 °C/s
温度均匀性 800 °C N2气氛中的ΔT = 10 °C
温度控制方式 K型热电偶(热电偶放置于带孔的SiC包覆的碳板内), 高温机可选
加热腔

组成

  • 红外金面反射炉
  • 加热腔
  • 可编程温控器
  • 9个独立的加热区
  • 跨度变换单元
  • 气体管路系统
  • 热气排出系统
  • 炉体框架,开关板
  • 高温计(可选)
  • 水冷机(可选)
  • 真空泵(可选)

系統図

安装需求

外形尺寸 约. W600 x D1000 x H1700 (mm) (不包含突出部分)
重量 约 300kg
供电需求 三相 AC 200V 30kVA, D type
冷却水 压力≥0.3Mpa 流量≥15L/min
真空接口 KF-25
气路接口 进气口: 1/4 Swagelok joint (或相同规格)
出气口:3/8 Swagelok joint (或相同规格)
热气排气口 约φ50mm的短管

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