该系统搭配了红外金面炉,样品支架以及用于气氛控制的石英腔。
用途
- 半导体化合物合金化
- Si,半导体化合物的快速退火
- 陶瓷基底薄膜材料的烘焙
- 玻璃陶瓷基底的退火
特長
- 流动气氛与真空石英腔可选(标配流动气氛)
- 可选配同时兼具流动气氛与真空功能的石英腔
- 通过USB连接,可将温控程序输入到电脑
- 加热期间可以通过电脑监测温度数据
仕様
型号 | SSA-E45P | SSA-E410P | SSA-P610CP |
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加热方式 | 聚焦光圆柱加热 | 聚焦光圆柱加热 | 平行光圆柱加热 |
Temperature Range | RT ~ 1400 °C | RT ~ 1200 °C | |
控温范围 | φ15 × L50 (mm) | φ15 × L100 (mm) | φ50 × L100 (mm) |
均热区 | φ10 × L40 (mm) | φ10 × L80 (mm) | φ40 × L80 (mm) |
加热腔 | 石英腔(φ30 mm)-流动气氛型 | 石英腔(φ98 mm)流动气氛 | |
样品支架 | 石英支架 | 石英支架 | 2英寸石英支架 |
热电偶 | R型热电偶 | ||
温控器 | TPC5000-32-1 | TPC5000-62-1 |
* 加热温度or升温速率 根据被加热样品的红外反射率,吸收率,热容和材料而变化。