用于金属和半导体的电阻测量装置 TER系列

金属相变,时效,重结晶反应。
金属合金和半导体的电阻可以用直流四端法精确测量。

用途

  • 金属相变,时效析出,重结晶等研究
  • 非晶金属的再结晶分析
  • 形状记忆合金的研究开发
  • 各种半导体材料温度下电阻的测量

特長

  • 可在恒速升温和降温过程中测量电阻
  • 直流四端子法高精度测量成为可能
  • 不受热电动势影响的测量

仕様

型式 TER-2000RH TER-2000L
测量方法 室温至1400°C -150℃~200℃
测量方法 直流四端法
测量范围 100Ω~5×10-5Ω
样品尺寸 φ10mm×长100mm
测量气氛 惰性气体、大气或真空(可选)
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