金属、半導体用電気抵抗測定装置 TERシリーズ

金属の相変態、時効、再結晶反応。
金属合金、半導体の電気抵抗を直流四端子法で精密測定が可能です。

用途

  • 金属の相変態、時効析出、再結晶などの研究
  • アモルファス金属の再結晶分析
  • 形状記憶合金の研究開発
  • 各種半導体材料の温度での電気抵抗の測定

特長

  • 定速昇降温過程、定温保持過程での電気抵抗測定が可能
  • 直流四端子法で高精度測定が可能
  • 熱起電力の影響を受けない測定

仕様

型式 TER-2000RH TER-2000L
温度範囲 室温~1400℃ -150℃~200℃
測定方式 直流四端子法
測定範囲 100Ω~5×10-5Ω
試料寸法 φ10mm×長100mm
測定雰囲気 不活性ガス中、大気中、真空中(オプション)
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