金属イオンを生成し、極薄膜やナノ粒子をパルスアーク蒸着により形成します。膜の平坦性、微粒子形成など他の蒸着法では得られない効果が得られます。
粉末へのナノ粒子担持
| ナノ粒子 | 粉末材質、大きさ、容量 |
|---|---|
| 1～20nm 導電体金属 (融点150℃以上) 半導体 |
材質 カーボン、アルミナ、シリカ等 大きさ 10μm～約1mm 容量 10〜20cc |
金属薄膜
| 蒸着材料 | 基板形状、膜厚 |
|---|---|
| 導電体金属 (融点150℃以上) 半導体 |
形状 最大φ２インチ 膜厚 1〜20μm ※μm厚さに関しては要相談 |
成膜確認済み元素
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Li | Be | B | C | N | ||||||||||
| Na | Mg | Al | Si | P | ||||||||||
| K | Ca | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Ni | Cu | Zn | Ga | Ge | As |
| Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | Cd | In | Sn | Sb |
| Cs | Ba | Hr | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | Ti | Pb | Bi | |
| Fr | Ra | Rf | Db | Sg | Bh | Hs | Mt | Ds | Dy | |||||
実績有 実績有、在庫有 使用に制限有
成膜確認済化合物：WC,TiAl,SiC,インコネル,TiN,アルミナ,AlN,TiO2,SiP2,HfOx,HfC,NdFeB
