カーボンナノチューブの生成装置や生産装置まで幅広い分野でご利用可能。
平板面状放射型赤外線加熱炉はφ2in～φ300mmまでのウエハ用アニールシステムや生産用焼成炉などにご利用頂けます。

用途

• 大型ガラス基板（太陽電池、FPD等）の加熱
• 半導体ウエハの高温高速加熱
• 薄板鋼板の熱処理

特長

• Ps型は幅40mmの反射面を有し、Pss型は、幅20mmの反射面で高密度ランプ配置が可能
• Ps型、Pss型ともに、反射面の数を増やすことで、幅広い面積を加熱することが可能

仕様

＊1　型式番号の意味　Ps(s)タイプ

Ps(s)310Vの場合

P：放物面反射、s(s)：反射面の幅（s:40㎜幅、ss:20㎜幅）、3：ランプ本数、10：ランプ長さ（インチ）、V：平面加熱

●加熱炉には、冷却水が必要です。予めご了承ください。
●加熱温度は、加熱物の赤外線反射・吸収、熱容量と材質により異なります。
●上記以外にも、豊富に取り揃えておりますので、お気軽にお問い合わせください。

この製品を利用した応用事例のご紹介

• 製造ラインへの導入「1.コーティング材の乾燥工程」

この製品に関するお問い合わせはこちら