アークプラズマ蒸着源 APS-1

異なる「ターゲット」を同時に蒸着。
本蒸着源を既存のアークプラズマ法ナノ粒子形成装置APD シリーズやお手持ちの真空チャンバに増設することで、異なる「ターゲット」を同時に蒸着でき、新たな特性を持つ材料の生成が可能となります。

用途

  • 複数の蒸着源による化合物の生成
  • お手持ちの真空チャンバーに増設

特長

  • ナノ粒子のサイズが従来の湿式法より均一なため高活性な触媒の生成が可能
  • ナノ粒子の粒径を約1.5nm ～ 6nmまで選択可能
  • 雰囲気を可変することで酸化物や窒化物を容易に生成可能
  • ICF070（VG50）相当のフランジがあれば方向を選ばず取り付け可能
  • 水冷設備不要で、メンテナンスが容易

仕様

ターゲット寸法 φ 10mm × 長 17 mm
基板寸法 φ 2インチ (φ 50 mm)
成膜速度 0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s *1
膜厚分布 Feの場合：　< ± 10 %　( φ 20 mmエリア) *1
成膜可能材料 導電材料全般 *2

＊1 ターゲット～基板距離　80mm時
＊2 ターゲットの比抵抗0.01Ωcm以下

動作イメージ

ユーティリティ

装置構成図

  • 電源：単相　AC200V ±10％ 2kVA
  • 寸法
  • ❶ コンデンサBOX：W 110 × D 320 × H 200（㎜）
  • ❷ 真空部：φ 34 × L 200（㎜）
  • ❸ 電源：W 200 × D 360 × H 200（㎜）
  • ❹ コントローラ：W 240 × D 400 × H 200（㎜）

※電源とコントローラはラックに収納

参考画像

  • カーボン粉体にPt ナノ粒子を担持したTEM 画像
    カーボンの凸凹な表面に対し均一に蒸着されている。
  • 凝集ナノ粒子
    ショット数の増加により凝集が始まる。
  • 薄膜（連続的な格子像）
    ナノ粒子が積層し、ナノ薄膜が形成される。

増設例

例1 真空チャンバへ増設
例2 弊社装置　APD-1P へ増設

表1 ターゲット使用実績表

  1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B 0
1 H   He
2 Li Be   B C N O F Ne
3 Na Mg   Al Si P S Cl Ar
4 K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
5 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
6 Cs Ba Lanthanoid Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg TI Pb Bi Po At Rn
7 Fr Ra Actinoid                              

　 実績あり　　 使用条件に制限あり

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