金属合金、半導体の電気抵抗を直流四端子法で精密測定が可能です。
用途
- 金属の相変態、時効析出、再結晶などの研究
- アモルファス金属の再結晶分析
- 形状記憶合金の研究開発
- 各種半導体材料の温度での電気抵抗の測定
特長
- 定速昇降温過程、定温保持過程での電気抵抗測定が可能
- 直流四端子法で高精度測定が可能
- 熱起電力の影響を受けない測定
仕様
| 型式 | TER-2000RH | TER-2000L |
|---|---|---|
| 温度範囲 | 室温～1400℃ | -150℃～200℃ |
| 測定方式 | 直流四端子法 | |
| 測定範囲 | 100Ω～5×10-5Ω | |
| 試料寸法 | φ10mm×長100mm | |
| 測定雰囲気 | 不活性ガス中、大気中、真空中（オプション） | |
