SiCなど高価な試料やその他高融点材料の小片試料をスポット加熱による高い反射効率で、超高温領域1800℃まで昇温可能な卓上型超高温ランプアニール装置です。
用途
- SiC（パワーデバイス）酸化膜形成～活性化
- 高融点材料の熱処理
- 焼結、焼成炉
- 局部加熱衝撃試験炉
- 結晶成長試験炉（ゾーンメルト）
特長
- 角15mmの小片試料を1800℃の超高温域へ10秒で昇温可能
- スポット加熱による高い反射効率
- 卓上型のコンパクトなボディ
- 赤外線ランプ加熱により、発生ガスやダストが少ないクリーン加熱
- お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能
- また、加熱中の温度データをパソコン上に表示する事が可能
仕様
| 温度範囲 | RT ～ 1800℃ |
|---|---|
| 試料寸法 | 角15mm × 厚1mm |
| 加熱雰囲気 | 各種ガスフロー中 |
| 熱電対 | JIS B φ0.3 （W-Re対応可） |
- ❶ ランプ冷却用Air GAS INLET
- ❷ GAS OUTLET
- ❸ N2 GAS INLET
- ❹ Ar GAS INLET
- ❺ ランプ
- ❻ 透明石英保護管
- ❼ 試料
- ❽ 試料移動フランジ（手動開閉）
加熱性能
最高到達温度
投入電力：7kW（max）計測：W-Re 熱電対
加熱雰囲気：N2 1L /min
到達温度：2157℃（2000℃まで約200℃/sec）
急速加熱制御
温度レシピ：200℃/s 1700℃ 保持5min雰囲気：N2 100cc/min
試料ホルダー：高純度カーボン
試料サセプター：高純度カーボン
試料ホルダとサセプタ
ユーティリティ
| 電源 | 単相 AC 200V 8kW |
|---|---|
| 冷却水 | 0.3MPa 約5L /min |
| ランプ冷却ガス | 乾燥空気 約200L /min |
| 装置寸法（㎜） | 約W410 × D450 × H840 突起部分除く |
| 重量 | 約45 kg |
オプション
- 真空排気系（RP、DRY、TMP など）
- ガス配管系（2系統目から）
- 冷却水循環装置
- 冷却エアー発生装置
- ハンディスポットウェルダ（HS-9000）
- ハンディアークウェルダ（HA-1H）
