弊社の赤外線ランプ加熱は、高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、真空によるクリーン加熱に自信があります。２インチ(50mm)から12インチ(300mm)のウェハに対応できるラインナップ。 ご要望の熱処理レシピ（加熱・冷却）と雰囲気（真空およびガス中）、RTAシリーズでお客様のニーズにお応えします。
用途
- イオン注入後の活性化アニール
- 酸化膜生成アニール
- オーミック電極のアロイング
- PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
- Siウエハのドナーキラー処理
- シリサイド形成、サリサイド形成
- 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
- 極浅接合形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- ゲート酸化膜形成
特長
- 最高200℃ /sの昇温レートで加熱が可能
- C to C ロボット搬送システムの対応可能
- 半導体製造装置との連結が可能
- 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール
仕様
- RTA-6000
- RTA-2000
- RTA-4000 CtoC
| 型式 | 試料寸法 | 温度範囲 | 最大昇温速度 | 雰囲気 |
|---|---|---|---|---|
| RTA-2000 | φ2インチ×1枚 | RT ～ 1000℃ | 100℃ /s | 大気中 真空中 ガス中 ガスフロー中 |
| RTA-4000 | φ3 ～ 4インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-6000 | φ4 ～ 6インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-8000 | φ6 ～ 8インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-12000 | 300mm×1枚 | 100℃ /s |
※ 上記仕様のほか、複数ウェハ同時処理、ウェハカセット対応ロボット搬送付装置、昇降温速度、各種ガス雰囲気および真空加熱など、各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。
C to C ロボット搬送システム Siウエハ搬送の様子
