赤外線ランプアニール装置
RTAシリーズ
目標温度まで10秒！
弊社の赤外線ランプ加熱は、高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、真空によるクリーン加熱に自信があります。２インチ(50mm)から12インチ(300mm)のウェハに対応できるラインナップ。
ご要望の熱処理レシピ（加熱・冷却）と雰囲気（真空およびガス中）、RTAシリーズでお客様のニーズにお応えします。
用途
- イオン注入後の活性化アニール
- 酸化膜生成アニール
- オーミック電極のアロイング
- PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
- Siウエハのドナーキラー処理
- シリサイド形成、サリサイド形成
- 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
- 極浅接合形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- ゲート酸化膜形成
特長
- 最高200℃ /sの昇温レートで加熱が可能
- C to C ロボット搬送システムの対応可能
- 半導体製造装置との連結が可能
- 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール
仕様
RTA-6000
RTA-2000
RTA-4000 CtoC
| 型式 | 試料寸法 | 温度範囲 | 最大昇温速度 | 雰囲気 |
|---|---|---|---|---|
| RTA-2000 | φ2インチ×1枚 | RT ～ 1000℃ | 100℃ /s | 大気中 真空中 ガス中 ガスフロー中 |
| RTA-4000 | φ3 ～ 4インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-6000 | φ4 ～ 6インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-8000 | φ6 ～ 8インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-12000 | 300mm×1枚 | 100℃ /s |
※上記仕様のほか、複数ウェハ同時処理、ウェハカセット対応ロボット搬送付装置、昇降温速度、各種ガス雰囲気および真空加熱など、各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。
C to C ロボット搬送システム Siウエハ搬送の様子
赤外線ランプアニール装置 RTAシリーズお問い合わせ
弊社にお問い合わせを頂くにあたって
お客様にご記入頂いた情報は、お客様へ回答する以外の目的では使用いたしません。
ただし、カタログ請求などの送付をご希望された場合は、発送のために弊社指定の運送業者に住所、氏名等発送にのみ必要な情報を利用させて頂く場合がありますので、ご了承ください。
詳しくはプライバシーポリシーをご確認ください。