该装置是世界上唯一一款用2·法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用装置。与其他方法相比，样品的制造和测量更简单。

用途

• 将低K绝缘膜的热阻数值化，并将其应用于半导体器件的热设计
• 绝缘膜的研制与散热性能的改善
• 热电薄膜应用评价

特長

• 可以测量在衬底上形成的20～1000nm薄膜的厚度方向上的热导率
• 通过使用热反射法的温度振幅检测实现测量
• 易于预处理测量样品

专利和标准

热物性测量方法（专利No.5426115）

仕様

测量原理

关于“根据绝热边界条件下的2ω法的薄板试料的热传导率评价”的论文

当金属薄膜以f/Hz的频率加热时，加热量以2f/Hz的频率变化。
金属薄膜(0)-薄膜(1)-底板(s)的3层系中的金属薄膜表面的温度变化T(0)，在金属薄膜薄膜的热扩散充分通过的条件下，表示1维传热模型的解析解的下式。

:热传导率W m^-1 K^-1, C:体积比热容量J K^-1 m^-3,q:体积热量W m^-3, d:厚度m, ω:角频率 (=2πf ) / s^-1）

由于实数解（in-phase amplitude）中包含薄膜信息，因此在相同条件下改变频率进行测量时，相位振幅与（2ω）^-0.5成正比。
薄膜的导热率λ₁按下列公式计算：
（m:倾斜度，n:截距）

Si衬底上SiO₂薄膜（20－100nm）的示例

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• Analysis of thermal conductivity・thermal diffusivity

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