本装置は、放物面反射赤外線ランプにより、4-6インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。高速熱処理が可能で、熱処理プロセスの研究・開発用装置として手軽にご利用いただけます。個別半導体プロセスのシリサイド形成や酸化膜形成、化合物半導体のプロセスアニールが可能です。
特長
- 高速加熱処理が可能
- 水冷メタルチャンバ式のコールドウォール構造で高速冷却が可能
- 真空置換後のガスフローも可能
- お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能
- 加熱中の温度データをパソコン上に表示する事が可能
- チャンバ内、汚れ防止に石英防着板取り付け可能（オプション）
- 9ゾーン出力制御により優れた温度分布と再現性が可能
仕様
| 温度範囲 | RT ～ 1100℃ |
|---|---|
| 試料寸法 | 標準 φ6インチウエハ 1枚（φ4インチ または、φ5インチ用はオプション） |
| 雰囲気 | ガス中、ガスフロー中、大気中、真空中（真空排気装置はオプション） |
| 加熱方式 | 放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式（下部方向加熱方式も可能） |
| 最大加熱速度 | 80℃ /sec |
| 均熱精度 | ⊿t＝10℃ at 800℃ hold N2中 |
| 制御センサ | 標準 熱電対 JIS"K"（SiCコート付カーボンサセプタに挿入方式）、パイロメータ（オプション） |
構成
- 赤外線ゴールドイメージ炉
- 熱処理チャンバ
- プログラム温度コントローラ
- 9ゾーン出力ユニット
- スパン切換ユニット
- ガス配管系
- 熱気排気装置
- 架台・配電盤
- パイロメータ（オプション）
- 冷却水循環装置（オプション）
- 真空排気装置（オプション）
系統図
ユーティリティ
| 装置寸法 | 約W600×D1000×H1700（mm） 突起物を除く |
|---|---|
| 重量 | 約300 kg |
| 所要電源・接地 | 三相 AC 200V 30 kVA、D種 |
| 所要冷却水 | 市水 水量 15 L/min 以上、圧力 0.3 MPa以上 |
| 真空引口 | KF-25 渡し |
| ガス導入口 | イン側：1/4 Swagelok継手（または同等品） アウト側：3/8 Swagelok継手（または同等品） |
| 熱気排気口 | 約 Φ50短管渡 |
